STMicroelectronics расширяет семейство мощных высокоэффективных транзисторов MDmesh V

STW57N65M5-4Технология MDmesh V — это самая последняя реализация собственной Multi Drain Mesh-технологии STMicroelectronics (ST) категории Super-Junction, которую впервые представили в 2001 году. Через четыре года появилась серия MDmesh II с напряжением пробоя от 300  до 650 В. Поколения приборов MDmesh III и MDmesh IV остались в виде прототипов и не пошли в серийное производство. Транзисторы семейства MDmesh V на 40% превосходят предыдущее семейство  по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла, обеспечивая тем самым более высокий КПД.

В мае 2013 компания представила первый MDmesh V Super-Junction MOSFET — STW57N65M5-4, в котором использован новый технологический корпус TO247-4, он позволит увеличить эффективность мощных схем такого оборудовании  как бытовая техника, телевизоры, компьютеры, телекоммуникационные и серверные импульсные источники питания.

Использование данного прибора позволяет на 60% уменьшить потери на переключение, и позволяет разработчикам использовать более высокие частоты переключения, которые требуют меньше фильтрующих компонентов.

 STW57N65M5-4 позволит увеличить энергоэффективность схем в преобразователях тока, в широком спектре потребительских и промышленных электронных продуктов.

 

Основные особенности STW57N65M5-4 в корпусе TO247-4:

• Высокая помехоустойчивость, снижение восприимчивости к электромагнитным помехам (EMI);

• Выдерживает резкое возрастание напряжения (dV / dt) что повышает надежность системы.

 

 

Скачать документацию STW57N65M5-4 в корпусе TO247-4Скачать документацию на STW57N65M5-4

 

 

 

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с Компанией СЭА, официальным дистрибьютором STMicroelectronics на территории Украины, по телефону: (044) 291-00-41 или e-mail: info@sea.com.ua 

Программа поставок: