Предел миниатюризации транзисторов достигнут!

Группа исследователей смогла создать миниатюрный транзистор, состоящий всего из одной молекулы фталоцианина меди, дюжины атомов индия и подложки из арсенида индия.В июле научный журнал Nature Physics опубликовал сенсационное сообщение. Группа исследователей смогла создать миниатюрный транзистор, состоящий всего из одной молекулы фталоцианина меди, дюжины атомов индия и подложки из арсенида индия. Диво дивное родилось благодаря сотрудничеству интернациональной команды ученых из немецкого НИИ твердотельной электроники Поля Друда (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, PDI), Берлинского открытого университета (Freie Universität Berlin, FUB), Лаборатории фундаментальных исследований японской корпорации NTT (NTT Basic Research Laboratories, NTT-BRL) и Исследовательской лаборатории ВМС США (U.S. Naval Research Laboratory, NRL). Исследование проводилось при финансовой поддержке крупнейшего в Европе фонда по финансированию научных исследований Deutsche Forschungsgemeinschaft, DFG). Возглавил команду Др. Штефан Фёльш (Stefan Fölsch) из Берлина.

 

 

Помимо размеров особенностью этого транзистора является нетипичное его функционирование. Если в традиционных полевых транзисторах ток контролируется путем модуляции напряжения на затворе, создавая эффект поля, то в одномолекульном транзисторе управление осуществляется за счёт изменения расстояния между самой молекулой и атомами индия. "Атомный" транзистор был создан на предметном столике мощного сканнирующего микроскопа. Др. Кийоши Канисава (Kiyoshi Kanisawa) вырастил подложку из арсенида индия методом молекулярной лучевой эпитаксии. На подложку исследователи поместили молекулу фталоцианина меди, окружив ее положительно заряженными атомами индия.

 

Стоит ли говорить, что точность регулирования затвора "атомного" транзистора — просто беспрецедентна. Др. Стивен Эрвин (Steven Erwin) из ВМС США, непосредственный участник эксперимента и эксперт в плотностно-функциональной теории, указывает на то, что регулирование затвора "атомного" транзистора осуществлялось путем смены ориентации молекулы при изменении заряда окружающих атомов. Изначально поведение "затвора" было расчитано теоретически, а затем подтверждено с помощью микроскопа.

 

Др. Пит Броувер (Piet Brouwer), эксперт в области квантовых переходов, сообщил, что в основе одномолекулярного транзистора лежит достаточно простая и понятная модель, которая сможет интегрировать молекулярные квази-устройства в существующие электронные компоненты.

 

Впрочем, несмотря на успешное проведение экспериментов с одномолекульным транзистором, не следует ожидать его скорого внедрения. Дело в том, что для работы такого устройства исследователи создавали весьма специфические условия – почти полный вакуум и окружающую температуру, близкую к абсолютному нулю. Потребуется ещё некоторое время, чтобы доработать устройство для применения в реальных условиях.

 

Так что пока производителям электронного оборудования придется потерпеть и использовать пока в своих изделиях традиционные транзисторы и другие дискретные полупроводниковые компоненты

 

Компания СЭА с 1991 года осуществляет оптовые поставки на рынок Украины электронных компонентов для промышленных предприятий. В программу поставок входят как пассивные компоненты (резисторы, конденсаторы, индуктивности, варисторы, кварцевые резонаторы, разрядники, разъемы, предохранители, коммутационные изделия) так и активные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды, диодные мосты, светодиоды, жидкокристаллические индикаторы, оптоприборы, предохранители, датчики) от ведущих мировых производителей электронных компонентов. Получить более подробную информацию об активных и пассивных электронных компонентах и о том, как купить электронные компоненты и радиодетали в Киеве и Украине, Вы можете по телефону: +38 +7 (495) 228-32-82 или по e-mail: info@searu.com

Программа поставок: